电脑内存DDR4快要跳水大促销了你准备好了没有 电脑内存其实很容易被人攻击呀您要小心
让人喜闻乐见的内存降价已经开始了一段时间，DDR4内存不再像以前那样高高在上，而变得平易近人了，作为全球为数不多几家具备颗粒生产能力的厂商，三星在技术领跑上一直不遗余力，在2014年率先量产20nm工艺的DRAM内存之后，三星这次再次充当领头羊的角色，现在正式量产了18nm工艺内存芯片。只不过内存市场今年普遍看淡，随着厂商产能的提高，内存价格降幅甚至高达40%。电脑内存价格将迎来大幅跳水，游戏玩家可任性升级
跟处理器芯片一样，制程工艺越先进，每一代工艺的进步在外人看来感觉是越来越小了，CPU工艺好歹是从22nm进步到14/16nm、NAND也是从20nm进步到16/15nm，内存工艺这次只是从20nm进步到了18nm，线宽只缩小了2nm，是不是感觉没什么变化。
电脑内存价格将迎来大幅跳水，游戏玩家可任性升级
实际上并不是这样，虽然集成电路的生产制造过程都差不多，但具体到不同产品上又有很大不同。在20nm节点上，三星、SK Hynix及美光还可以使用45nm工艺级别的半导体印刷设备，但再往下就难了，工艺需要改进，三星已经开始启用双重曝光工艺，很多制造设备都是需要改进或者升级的。从20nm到18nm，三星的DRAM内存能效据称提升了20%。 现在的情况是，三星已经开始量产18nm工艺DRAM内存，为了进一步提升产能，三星还在安装更多的半导体设备，预计今年夏天产能会大幅提升。
电脑内存价格将迎来大幅跳水，游戏玩家可任性升级
其他两家对手的进度没这么快，他们的20nm工艺才量产不久，SK Hynix的18nm级别工艺还在开发中，而美光这两年的日子不好过，研发进度就更慢了，20nm工艺才刚量产，18nm工艺还很遥远，消息称美光有可能落后三星2年左右。 不过对内存厂商来说，今年最大的问题恐怕不是产能和工艺，而是市场和价格。PC需求不断下降，智能设备市场增速也没之前那么高了，但20nm产能不断扩大，所以之前有预测称今年DRAM内存市场会迎来大跳水，最高降幅甚至高到40%！，各位有意升级内存容量的小伙伴不妨持币观望一段时间。
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近日安全研究人员展示了一种新的Rowhammer攻击，利用该技术可攻击某些DDR4内存模块。 Rowhammer攻击影响较广 Rowhammer攻击被众所周知是在2014年，卡内基·梅隆大学研究人员在足够多的访问次数后让某个内存单元的值从1变成0，当然主要是利用临近内存单元之间电子的互相影响，这种现象被称为比特翻转。 并在论文中说，此漏洞主要为威胁到搭载特定DRAM的设备，这主要是x86架构的笔记本电脑。漏洞的主要表现是：当攻击者敲打（Hammering）内存的特定某几行时，会导致其它行的内存单元相应地翻转。在2015年，谷歌的安全研究人员发布了一个名为rowhammer的漏洞可通过网页入侵用户电脑的动态随机存储器。由于内存单元分布太过密集，动态随机存储器容易受到电干扰。 反复访问一排内存单元会导致临近的单元改变自身的二进制值。在网络上使用Java就可操作攻击行为，入侵任何结构、编程语言和运行环境，并且不需要对电脑进行物理访问，大大提高了其危险性。这也意味着许多人在上网时就已被锁定为攻击目标，成为潜在的受害者。 改进方法绕过安全机制 今年三月Third I/O公司CTO兼创始人Mark Lanteigne发布一个报告称，通过改变过去Rowhammer攻击方法，新的Rowhammer攻击可以对某些DDR4内存模块有效。在测试过程中研究人员使用了一个内部工具Memesis，而这个工具在公司内部主要测试固态硬盘。 早前的攻击手法主要是通过不断重复的“敲打”（访问）一排存储单元可以引起邻近的单元改变它们的二进制值。Third I/O 采用了不同的方法，即将数据以不同的模式写入到DDR4内存中，这样也可以使得临近内存单元之间电子的互相影响。这个新方法允许安全研究人员绕过 DDR3，甚至是DDR4的安全保护措施。 Third I/O 发现了一种新的模式，他们称为“killer”。利用这一点可以削弱DDR4的安全防护机制。在他们的报告中称，发送其中一个数字492（16进制），转化为二进制将会以字符串010的形式无休止的发送其数据。 Third I/O表示： “我们的killer模式比随机数据模式错误率高出50%，我们发现这个的确是很明显的，甚至我们的系统会出现一个提示“ 'Memory Scrambling Enabled”，测试用到的系统处理器和内存都是最新的，我们很期待随机数据模式是我们测试最好的结果。”
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