电脑内存DDR4快要跳水大促销了你准备好了没有电脑内存其实很容易被人攻击呀您要小心

越来越好 · 发表于 2016-4-1 06:01:47

让人喜闻乐见的内存降价已经开始了一段时间，DDR4内存不再像以前那样高高在上，而变得平易近人了，作为全球为数不多几家具备颗粒生产能力的厂商，三星在技术领跑上一直不遗余力，在2014年率先量产20nm工艺的DRAM内存之后，三星这次再次充当领头羊的角色，现在正式量产了18nm工艺内存芯片。只不过内存市场今年普遍看淡，随着厂商产能的提高，内存价格降幅甚至高达40%。
电脑内存价格将迎来大幅跳水，游戏玩家可任性升级
跟处理器芯片一样，制程工艺越先进，每一代工艺的进步在外人看来感觉是越来越小了，CPU工艺好歹是从22nm进步到14/16nm、NAND也是从20nm进步到16/15nm，内存工艺这次只是从20nm进步到了18nm，线宽只缩小了2nm，是不是感觉没什么变化。
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实际上并不是这样，虽然集成电路的生产制造过程都差不多，但具体到不同产品上又有很大不同。在20nm节点上，三星、SK Hynix及美光还可以使用45nm工艺级别的半导体印刷设备，但再往下就难了，工艺需要改进，三星已经开始启用双重曝光工艺，很多制造设备都是需要改进或者升级的。从20nm到18nm，三星的DRAM内存能效据称提升了20%。现在的情况是，三星已经开始量产18nm工艺DRAM内存，为了进一步提升产能，三星还在安装更多的半导体设备，预计今年夏天产能会大幅提升。
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其他两家对手的进度没这么快，他们的20nm工艺才量产不久，SK Hynix的18nm级别工艺还在开发中，而美光这两年的日子不好过，研发进度就更慢了，20nm工艺才刚量产，18nm工艺还很遥远，消息称美光有可能落后三星2年左右。不过对内存厂商来说，今年最大的问题恐怕不是产能和工艺，而是市场和价格。PC需求不断下降，智能设备市场增速也没之前那么高了，但20nm产能不断扩大，所以之前有预测称今年DRAM内存市场会迎来大跳水，最高降幅甚至高到40%！，各位有意升级内存容量的小伙伴不妨持币观望一段时间。

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　　近日安全研究人员展示了一种新的Rowhammer攻击，利用该技术可攻击某些DDR4内存模块。

　　Rowhammer攻击影响较广

　　Rowhammer攻击被众所周知是在2014年，卡内基·梅隆大学研究人员在足够多的访问次数后让某个内存单元的值从1变成0，当然主要是利用临近内存单元之间电子的互相影响，这种现象被称为比特翻转。

　　并在论文中说，此漏洞主要为威胁到搭载特定DRAM的设备，这主要是x86架构的笔记本电脑。漏洞的主要表现是：当攻击者敲打（Hammering）内存的特定某几行时，会导致其它行的内存单元相应地翻转。在2015年，谷歌的安全研究人员发布了一个名为rowhammer的漏洞可通过网页入侵用户电脑的动态随机存储器。由于内存单元分布太过密集，动态随机存储器容易受到电干扰。

　　反复访问一排内存单元会导致临近的单元改变自身的二进制值。在网络上使用Java就可操作攻击行为，入侵任何结构、编程语言和运行环境，并且不需要对电脑进行物理访问，大大提高了其危险性。这也意味着许多人在上网时就已被锁定为攻击目标，成为潜在的受害者。

　　改进方法绕过安全机制

　　今年三月Third I/O公司CTO兼创始人Mark Lanteigne发布一个报告称，通过改变过去Rowhammer攻击方法，新的Rowhammer攻击可以对某些DDR4内存模块有效。在测试过程中研究人员使用了一个内部工具Memesis，而这个工具在公司内部主要测试固态硬盘。

　　早前的攻击手法主要是通过不断重复的“敲打”（访问）一排存储单元可以引起邻近的单元改变它们的二进制值。Third I/O 采用了不同的方法，即将数据以不同的模式写入到DDR4内存中，这样也可以使得临近内存单元之间电子的互相影响。这个新方法允许安全研究人员绕过 DDR3，甚至是DDR4的安全保护措施。

　　Third I/O 发现了一种新的模式，他们称为“killer”。利用这一点可以削弱DDR4的安全防护机制。在他们的报告中称，发送其中一个数字492（16进制），转化为二进制将会以字符串010的形式无休止的发送其数据。

　　Third I/O表示：

　　“我们的killer模式比随机数据模式错误率高出50%，我们发现这个的确是很明显的，甚至我们的系统会出现一个提示“ 'Memory Scrambling Enabled”，测试用到的系统处理器和内存都是最新的，我们很期待随机数据模式是我们测试最好的结果。”